Nuovo record di efficienza per una cella multicristallina: 22,3 per cento

L’istituto tedesco ISE Fraunhofer ha migliorato il record di efficienza per una cella di silicio multicristallino, che già deteneva, portandolo dal 21,9 al 22,3 per cento. La cella, di silicio n-Type, è stata ottimizzata con una «testurizzazione al plasma» e dotata di contatti posteriori attraverso il processo «Tunnel Oxide Passivated Contact-Technologie (TOPCon)», che sarà illustrato nel corso della prossima conferenza EUPVSEC ad Amsterdam.
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