PHOTON's 4th PV Inverter Conference

KONFERENZBERICHT 

PARADIGMENWECHSEL BEI SOLARWECHSELRICHTERN?

26.03.2012: Die Anforderungen an die Hersteller von Solarwechselrichter steigen: Während sie einerseits ihre Geräte zu immer günstigeren Preisen anbieten müssen, um sinkenden Einspeisevergütungen zu folgen, werden die Bedingungen für den Anschluss ans Stromnetz immer rigider, die Wirkungsgrade müssen zwischen 98 und 99 Prozent liegen und Kommunikationsschnittstellen werden zur Pflicht. Das sind die Kernaussagen der Präsentationen auf PHOTON´s 4th PV Inverter Conference gestern in Berlin.

Als Lösungsmöglichkeit bieten sich kundenspezifische Halbleiterbausteine an, sagte Andrea Vezzini von der Fachhochschule Bern auf. Diese Bauteile bietet unter anderem die auf Galliumnitrid-Halbleiterbauteile Firma MicroGaN GmbH, die ebenfalls auf der Konferenz präsentierte. So sei es denkbar, dass Kunden halbe H-Brücken – Kernkomponenten eines jeden Wechselrichters - fertigen ließen, sagte MicroGaN-Manager Ertugrul Sünmez. Galliumnitrid-Halbleiter stammen aus der Telekommunikation und werden dort wegen ihrer sehr hohen Schaltgeschwindigkeiten bei sehr geringen elektrischen Verlusten geschätzt. Diese Eigenschaften machen sie auch für die Anwendung in der Photovoltaik interessant. Auch Siliziumkarbid-Halbleiter werden in Wechselrichtern immer häufiger eingesetzt werden, glaubt Sven Schwarzer vom Halbleiterhersteller Infineon. Die wegen ihrer sehr geringen Verluste geschätzten Bauteile werden vermutlich aufgrund ihrer hohen Spannungsfestigkeit vor allem in Solarsystemen mit hohen Systemspannungen Anwendung finden.

 
Quelle: PHOTON

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Chris Flueckiger, UL	Panel	Joe Zhang, Chint